製造商: Toshiba
產品類型: 雙極結晶體管 - BJT
RoHS: 詳細資料
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-126N-3
晶體管極性: PNP
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: - 160 V
集電極-基極電壓VCBO: - 160 V
發射機-基極電壓VEBO: - 6 V
集電極-發射極飽和電壓: - 500 mV
集電極最大直流電流: - 1.5 A
Pd - 功率消耗 : 1.5 W
增益帶寬積 fT: 100 MHz
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
系列: TTA004B
封裝: Tube
直流電最大增益hFE: 280
技術: Si
品牌: Toshiba
連續集電極電流: - 1.5 A
直流集電極/增益 hfe 最小值: 140
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
原廠包裝數量: 250
子類別: Transistors
每件重量: 4.700 g