制造商：Toshiba
客戶編號:
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說明：
雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
制造商: Toshiba
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: Through Hole
晶體管極性: PNP
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: - 140 V
集電極—基極電壓 VCBO: - 140 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: - 5 V
集電極—射極飽和電壓: 2 V
Pd-功率耗散: 100 W
增益帶寬產品fT: 30 MHz
最大工作溫度: + 150 C
直流電流增益 hFE 最大值: 83
技術: Si
商標: Toshiba
集電極連續電流: 10 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 35
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
單位重量: 4.700 g
