MB85RS16PNF-G-JNERE1采用了形成非易失性存儲器單元的強介質工藝和硅門CMOS工藝，共2,048瓦都×8位構成的FRAM (Ferroelectric Random Access Memory:強介質隨機存取存儲器)。

MB85RS16PNF-G-JNERE1采用串行外圍接口(SPI)。

MB85RS16PNF-G-JNERE1可以不像SRAM那樣使用數據備份電池而保持數據。

MB85RS16PNF-G-JNERE1采用的存儲器單元可進行1012次寫入/讀出操作，閃存和E2

PROM的改寫

大大超過可能的次數。

MB85RS16包括閃存和E2

不需要像PROM那樣長的寫入時間，寫入的等待時間為零。了

因此，不需要等待寫入完成的序列。

特長

·比特結構:2,048個字×8個比特

串行外圍接口:SPI

SPI模式0(0,0)與模式3(1,1)對應

·工作頻率:20mhz (Max)

·寫入/讀出耐性:1012次/字節

·數據保持特性:10年(+ 85°c), 95年(+ 55°c), 200年以上(+ 35°c)

·工作電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V

·低耗電:工作電源電流1.5 mA (Typ@ 20mhz)

待機電流5μA (Typ)

·動作周圍溫度:-40°c ~ + 85°c

·封裝:塑料SOP, 8引腳(FPT-8P-M02)

塑料SON, 8管(LCC-8P-M04)

本產品符合RoHS法令。