GSISyncBurst™SRAM一直是中端數據采集設計的主力軍，已有15多年的歷史，可提供各種密度，封裝和設計選項。這些SRAM還帶有長期存儲IC支持計劃。
SyncBurst SRAM響應單個時鐘信號提供2到4個字的“突發”。SyncBurst SRAM用于需要中端性能點（通常為333 MHz至166 MHz時鐘速率）的網絡，工業，汽車和醫學成像應用。
特征 FT引腳，用于用戶可配置的直通或管線操作 雙周期取消選擇（DCD）操作 2.5 V或3.3 V±10％內核電源 2.5 V或3.3 VI / O電源 LBO引腳，用于線性或交錯突發模式 模式引腳上的內部輸入電阻器允許浮動模式引腳 默認為交錯流水線模式 字節寫入（BW）和/或全局寫入（GW）操作 內部自定時寫周期 便攜式應用自動斷電 符合RoHS要求的100引線TQFP以及119和165焊球BGA封裝
