製造商: ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-323-3
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 200 mA
Rds On - 漏-源電阻: 1.2 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 300 mV
Qg - 閘極充電: 1.4 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 150 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.9 mm
長度: 2 mm
產品: MOSFET
系列: RU1C002ZP
晶體管類型: 1 P-Channel MOSFET
類型: Power MOSFET
寬度: 1.25 mm
品牌: ROHM Semiconductor
下降時間: 17 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 4 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 17 ns
標準開啟延遲時間: 6 ns
零件號別名: RU1C002ZP
每件重量: 124.600 mg