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GTRA364002FC-V1-R0

發布時間:2020/11/13 15:17:00 訪問次數:135 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

GTRA364002FC-V1-R0


製造商: Cree, Inc.
產品類型: RF JFET晶體管
付運限制: 此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
RoHS: 詳細資料
晶體管類型: HEMT
技術: GaN-on-SiC
操作頻率: 3400 MHz to 3600 MHz
增益: 13 dB
晶體管極性: N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 125 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓: - 10 V to 2 V
Id - C連續漏極電流: 8.1 A
輸出功率: 400 W
最大漏柵電壓: -
最低工作溫度: -
最高工作溫度: + 225 C
Pd - 功率消耗 : -
安裝風格: Flange Mount
封裝/外殼: H-37248C-4
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
應用: Cellular Power Ampifier
品牌: Wolfspeed / Cree
互導 - 最小值: -
產品類型: RF JFET Transistors
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors

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