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BSZ160N10NS3 G

發布時間:2020/11/16 9:53:00 訪問次數:130 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 40 A
Rds On - 漏-源電阻: 14 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 25 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 63 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
品牌: Infineon Technologies
互導 - 最小值: 16 S
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
原廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 22 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
零件號別名: SP000482390 BSZ16N1NS3GXT BSZ160N10NS3GATMA1
每件重量: 40.210 mg



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