製造商:
Toshiba
產品類型:
MOSFET
RoHS:
詳細資料
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝/外殼:
TSON-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數:
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
30 V
Id - C連續漏極電流:
37 A
Rds On - 漏-源電阻:
10.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
2.3 V
Qg - 閘極充電:
9.8 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 150 C
Pd - 功率消耗 :
22 W
通道模式:
Enhancement
公司名稱:
U-MOSVIII-H
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
0.85 mm
長度:
3.1 mm
系列:
TPN8R903NL
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
3.1 mm
品牌:
Toshiba
下降時間:
2.1 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
2.4 ns
原廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
標準斷開延遲時間:
14 ns
標準開啟延遲時間:
8.3 ns
每件重量:
20 mg
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