描述：IRFH8311TRPBF
采用5mm X 6mm PQFN封裝的30V單N溝道HEXFET功率MOSFET


好處：IRFH8311TRPBF
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
邏輯電平：針對5 V柵極驅動電壓進行了優化
工業標準表面貼裝電源套件

IRFH8311TRPBF

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PQFN-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.35 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.6 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.83 mm
長度: 6 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
寬度: 5 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 83 S
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 26 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 21 ns
典型接通延遲時間: 21 ns