描述：IRFB4615PBF
采用TO-220AB封裝的150V單N溝道HEXFET功率MOSFET


好處：IRFB4615PBF
改進的Gate，雪崩和動態dV / dt
堅固性
完全表征的電容和雪崩
SOA
增強的體二極管dV / dt和dI / dt能力
無鉛


應用領域：IRFB4615PBF
SMPS中的高效同步整流
不間斷電源
高速電源開關
硬開關和高頻電路

IRFB4615PBF

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 35 A
Rds On-漏源導通電阻: 32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 26 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 144 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon / IR
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
單位重量: 6 g