描述：IRFB7540PBF
采用無鉛TO-220AB封裝的60V單N溝道HEXFET功率MOSFET


應用：IRFB7540PBF
•有刷電機驅動器應用
•BLDC電機驅動器應用
電池供電的電路
•半橋和全橋拓撲
•同步整流器應用
諧振模式電源
ORing和冗余電源開關
DC / DC和AC / DC轉換器
•DC / AC逆變器

好處：IRFB7540PBF
改進了Gate，雪崩和動態dV / dt堅固性
•完全表征的電容和雪崩SOA
•增強的體二極管dV / dt和dI / dt能力
•無鉛，符合RoHS

IRFB7540PBF

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 110 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.7 V
Qg-柵極電荷: 88 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 160 W
通道模式: Enhancement
商標名: StrongIRFET
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 110 S
下降時間: 56 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 76 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 58 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
單位重量: 6 g