描述：BSP149 H6327
英飛凌是少數向全球提供累積型MOSFET半導體制造商之一。


應用范圍包括電源啟動器，過壓保護，涌入電流限制器，脫機基準電壓。使用單個部件就可能實現簡單的電流調節。所有產品均適用于汽車應用。為滿足特殊要求，可在卷軸 上使用帶有VGS（th）指示器的重復型MOSFET。


特征描述：BSP149 H6327
逐漸型
dv / dt額定
可在卷軸上使用VGS（th）指示器
無鹵；無鉛鍍層；符合RoHS
質量符合AEC Q101標準

潛在應用：BSP149 H6327
汽車
消費品
直流-直流
電動交通
板載充電器
通信

BSP149 H6327

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 660 mA
Rds On-漏源導通電阻: 1 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 11 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Depletion
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.6 mm
長度: 6.5 mm
系列: BSP149
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.5 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 400 mS
下降時間: 21 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.4 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 5.1 ns
零件號別名: SP001058818 BSP149H6327XTSA1
單位重量: 112 mg