一般說明：AO3401A
AO3401A使用先進的溝槽技術來提供
出色的RDS（ON），低柵極電荷和操作柵極
電壓低至2.5V。 該設備適合用作
負載開關或其他一般應用。 標準品
AO3401A無鉛（符合ROHS和Sony 259
規格）。
特征：AO3401A
VDS（V）= -30V
ID = -4.3A（VGS = -10V）
RDS（ON）<46mΩ（VGS = -10V）
RDS（ON）<55mΩ（VGS = -4.5V）
RDS（ON）<80mW（VGS = -2.5V）
詳細參數
參數名稱參數值是否無鉛不含鉛不含鉛
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明R-PDSO-G3
針數3
達到合規性
ECCN代碼EAR99
風險等級1.68
Samacsys描述30V P溝道MOSFET
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大電流（ID）4 A
最大漏源導通電阻0.05Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-30代碼R-PDSO-G3
元件數量1
端子數量3
工作模式
最高工作溫度150°C
最低工作溫度-55°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型P-CHANNEL
有利環境功耗1.4 W
最大功率耗散（Abs）1.4 W
表面貼裝是
端子形式鷗翼
端子位置DUAL
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON
