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FDMS86200

發布時間:2020/11/20 23:46:00 訪問次數:151 發布企業:西旗科技(銷售二部)

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DualCool-56-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 52 A
Rds On-漏源導通電阻: 15 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 33 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 104 W
通道模式: Enhancement
商標名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 6 mm
系列: FDMS86200
晶體管類型: N-Channel
類型: N-Channel Power Trench MOSFET
寬度: 5 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 33 S
下降時間: 5.8 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 7.9 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
單位重量: 68.100 mg

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