描述：IRL2910PBF
100V正極N通道HEXFET功率MOSFET，采用TO-220AB封裝


特征描述：IRL2910PBF
寬SOA的平面單元結構
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
硅經過優化，適用于低于100kHz的開關應用
行業標準的通孔電源封裝
高電流承載能力封裝（高達195 A，取決于芯片尺寸）
能夠波峰焊

IRL2910PBF

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 48 A
Rds On-漏源導通電阻: 26 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 93.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon / IR
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
單位重量: 6 g