製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: HVMDIP-4
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 200 V
Id - C連續漏極電流: 600 mA
Rds On - 漏-源電阻: 1.5 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 8.2 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 1 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
系列: IRFD
品牌: Vishay / Siliconix
產品類型: MOSFET
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
每件重量: 712.092 mg