製造商: ON Semiconductor
產品類型: IGBT 電晶體
RoHS: 詳細資料
技術: Si
封裝/外殼: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 600 V
集電極-發射極飽和電壓: 1.8 V
柵極發射機最大電壓: 20 V
連續集電極電流在25 C: 70 A
Pd - 功率消耗 : 290 W
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
系列: HGTG20N60A4D
封裝: Tube
集電極最大連續電流Ic : 70 A
高度: 20.82 mm
長度: 15.87 mm
寬度: 4.82 mm
品牌: ON Semiconductor / Fairchild
連續集電極電流: 70 A
柵射極漏電電流: +/- 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 450
子類別: IGBTs
零件號別名: HGTG20N60A4D_NL
每件重量: 6.390 g