一般說明：A3P250-VQG100I
ProASIC3是Microsemi閃存FPGA的第三代產品，提供了性能，密度和性能。ProASICPLUS®系列產品以外的功能。非易失性閃存技術為ProASIC3器件提供了支持
它是即時啟動的安全，低功耗，單芯片解決方案的優勢。 ProASIC3是
可重新編程，并以ASIC級別的單位成本提供上市時間收益。這些功能使
設計人員可以使用現有的ASIC或FPGA設計流程和工具來創建高密度系統。
ProASIC3器件提供1 kbit的片上可重編程非易失性FlashROM存儲以及
基于集成鎖相環（PLL）的時鐘調節電路。 A3P015和A3P030
設備不支持PLL或RAM。 ProASIC3器件最多支持一百萬個系統門
具有高達144 kbit的真正雙端口SRAM和多達300個用戶I / O。
ProASIC3設備支持ARM Cortex-M1處理器。支持ARM的設備具有Microsemi
以M1A3P（Cortex-M1）開頭且不支持AES解密的訂購號。
Flash的優勢
降低擁有成本
設計人員的優勢超出了低單位成本，性能和易用性。與基于SRAM的FPGA不同，基于閃存的ProASIC3器件允許所有功能即時啟用。沒有外部啟動
PROM是必需的。機載安全機制阻止訪問所有編程信息
并啟用FPGA邏輯的安全遠程更新。設計人員可以執行安全的遠程系統內
重新編程以支持未來的設計迭代和現場升級，并充滿信心
知識產權（IP）不能被破壞或復制。可以使用
行業標準的AES算法。 ProASIC3系列設備架構減輕了對ASIC的需求
以更高的用戶數量遷移。這使ProASIC3系列成為經濟高效的ASIC替代產品
解決方案，特別是針對消費者，網絡/通信，計算和
航空電子市場。
安全
非易失性，基于閃存的ProASIC3設備不需要啟動PROM，因此不會受到攻擊
可以輕松復制的外部比特流。 ProASIC3器件集成了FlashLock，可提供
可重編程性和設計安全性的獨特組合，無需外部開銷，其優勢在于
只有具有非易失性閃存編程的FPGA可以提供。
ProASIC3器件利用基于128位閃存的鎖和單獨的AES密鑰來提供最高級別
FPGA行業對知識產權和配置數據的保護。另外，全部
ProASIC3設備中的FlashROM數據可以在加載之前使用業界領先的技術進行加密
AES-128（FIPS192）位塊密碼加密標準。 AES標準已被國家
美國標準與技術研究院（NIST）于2000年取代了1977年的DES標準。 ProASIC3
設備具有內置的AES解密引擎和基于閃存的AES密鑰，使它們成為最
全面的可編程邏輯器件安全解決方案現已面世。 ProASIC3設備具有
基于AES的安全性為公共網絡上的遠程現場更新提供了高級保護
作為互聯網，旨在確保寶貴的IP不在系統手中
擴展程序，系統克隆器和IP竊賊。
啟用ARM的ProASIC3設備不支持用戶控制的AES安全機制。自從
必須始終保護ARM內核，內核邏輯始終啟用AES加密，因此位流
總是加密的。用戶無權訪問FlashROM編程數據的加密。
FPGA架構中內置的安全性是ProASIC3系列的固有組件。閃光燈是
位于七個金屬層下面，許多設備設計和布局技術已用于
使侵入式攻擊極為困難。具有FlashLock和AES安全性的ProASIC3系列
對入侵和非入侵攻擊具有高度抵抗力的獨特之處。
您寶貴的IP受行業標準安全性保護，從而使遠程ISP成為可能。 ProASIC3器件
為可編程邏輯設計提供最佳的可用安全性。
單芯片
基于閃存的FPGA將其配置信息存儲在片上閃存單元中。編程后，配置
數據是FPGA結構的固有部分，并且在系統加電時無需加載任何外部配置數據（與基于SRAM的FPGA不同）。因此，基于閃存的ProASIC3 FPGA不需要系統配置
諸如EEPROM或微控制器之類的組件來加載設備配置數據。這減少了物料清單
成本和PCB面積，并增加了安全性和系統可靠性。
即時開啟
基于Flash的ProASIC3器件支持Instant On分類標準的0級。此功能有助于系統
組件初始化，處理器喚醒之前執行關鍵任務，設置和配置內存
塊，時鐘生成和總線活動管理。 Ť
基于閃存的ProASIC3器件的Instant On功能
大大簡化了總體系統設計并降低了總體系統成本，通常無需CPLD和時鐘
系統中用于這些目的的新一代PLL。此外，系統電源中的故障和電源不足也會
不會破壞ProASIC3器件的閃存配置，并且與基于SRAM的FPGA不同，該器件不必
恢復系統電源后重新加載。這樣可以減少或完全刪除配置PROM，
PCB設計中的昂貴電壓監控器，掉電檢測和時鐘發生器設備。基于Flash
ProASIC3器件簡化了總體系統設計，降低了成本和設計風險，同時提高了系統可靠性和可靠性。
縮短系統初始化時間。
公司錯誤
當在高層大氣中產生的高能中子撞擊到高能中子時，常會發生確定性錯誤。
SRAM FPGA的配置單元。碰撞的能量會改變配置單元的狀態，并且
因此，以一種無法預測的方式更改邏輯，路由或I / O行為。這些錯誤是無法避免的
SRAM FPGA。此類錯誤的后果可能是整個系統故障。公司錯誤不存在
基于ProASIC3閃存的FPGA的配置存儲器。編程后，閃存單元的配置元素
ProASIC3 FPGA不能被高能中子改變，因此不受它們的影響。可恢復（或軟）
所有FPGA器件的用戶數據SRAM中發生錯誤。通過使用錯誤檢測和
FPGA架構中內置的校正（EDAC）電路。
低電量
基于閃存的ProASIC3器件具有與ASIC相似的功率特性，使其成為以下應用的理想選擇
功耗敏感的應用程序。 ProASIC3器件的開機電流浪涌非常有限，沒有大電流
過渡期，這兩者都發生在許多FPGA上。
ProASIC3器件還具有較低的動態功耗，以進一步最大程度地節省功耗
特點和優點：A3P250-VQG100I
大容量
•15 K至1 M系統門
•高達144 Kbit的真正雙端口SRAM
•多達300個用戶I / O
可重編程閃存技術
•130納米，7層金屬（6銅），基于閃存的CMOS
處理
•0級即時支持
•單芯片解決方案
•斷電時保留程序設計
高性能
•350 MHz系統性能
•3.3 V，66 MHz 64位PCI†
系統內編程（ISP）和安全性
•使用片上128位高級加密標準的ISP
（AES）解密（不支持ARM®的ProASIC®3設備）
通過JTAG（符合IEEE 1532）†
•FlashLock®保護FPGA內容
低電量
•低功耗核心電壓
•支持僅1.5 V的系統
•低阻抗閃光燈開關
高性能路由層次結構
•分段的分層路由和時鐘結構
進階I / O
•700 Mbps DDR，支持LVDS的I / O（A3P250及更高版本）
•1.5 V，1.8 V，2.5 V和3.3 V混合電壓操作
•符合JESD8-B的寬范圍電源電壓支持，
允許I / O在2.7V至3.6V的范圍內工作
•Bank可選的I / O電壓-每個芯片最多4個Bank
•單端I / O標準：LVTTL，LVCMOS 3.3 V /
2.5 V / 1.8 V / 1.5 V，3.3 V PCI / 3.3 V PCI-X†和LVCMOS
2.5 V / 5.0 V輸入
•差分I / O標準：LVPECL，LVDS，B-LVDS和
M-LVDS（A3P250及以上）
•輸入，輸出和啟用路徑上的I / O寄存器
•熱插拔和冷備用I / O‡
•可編程輸出擺率†和驅動強度
•弱上/下
•IEEE 1149.1（JTAG）邊界掃描測試
•整個ProASIC3系列的引腳兼容封裝
時鐘調節電路（CCC）和PLL†
•6個CCC模塊，其中1個具有集成PLL
•可配置的相移，乘法/除法，延遲功能
和外部反饋
•寬輸入頻率范圍（1.5 MHz至350 MHz）
嵌入式內存†
•1 Kb FlashROM用戶非易失性存儲器
•具有可變縱橫比4,608位RAM的SRAM和FIFO
方塊（×1，×2，×4，×9和×18組織）†
•真正的雙端口SRAM（×18除外）
ProASIC3 FPGA中的ARM處理器支持
•M1 ProASIC3器件-ARM®Cortex®-M1軟處理器
有或沒有調試可用
制造商: Microchip
產品種類: FPGA - 現場可編程門陣列
RoHS: 詳細信息
產品: A3P250
邏輯元件數量: 3000
邏輯數組塊數量——LAB: -
輸入/輸出端數量: 68 I/O
工作電源電壓: 1.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFP-100
封裝: Tray
高度: 1 mm
長度: 14 mm
系列: A3P250
寬度: 14 mm
商標: Microchip / Microsemi
柵極數量: 250000
最大工作頻率: 231 MHz
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 30 mA
產品類型: FPGA - Field Programmable Gate Array
工廠包裝數量: 90
子類別: Programmable Logic ICs
電源電壓-最大: 1.575 V
電源電壓-最小: 1.425 V
總內存: 36864 bit
商標名: ProASIC3
單位重量: 500 mg
