描述：2SC3324-GR

東芝晶體管硅NPN外延型（PCT工藝）


特點：2SC3324-GR
音頻低噪聲放大器應用
•高電壓：VCEO = 120 V
•出色的hFE線性度：hFE（IC = 0.1 mA）/ hFE（IC = 2 mA）
= 0.95（典型值）
•高hFE：hFE = 200〜700
•低噪聲：NF（2）= 0.2dB（典型值），3dB（最大）
•補充2SA1312
•小包裝


詳細參數：2SC3324-GR
參數名稱參數值
生命周期
IHS制造商東芝公司
零件包裝代碼SOT-23
包裝說明R-PDSO-G3
針數3
達到合規性代碼未知
ECCN代碼EAR99
HTS代碼8541.21.00.95
風險等級5.57
其他特性LOW NOISE
最大集電極電流（IC）0.1 A
集電極-發射極最大電壓120 V
配置單
最小直流電流增益（hFE）200
JEDEC-95碼TO-236
JESD-30代碼R-PDSO-G3
JESD-609代碼e0
元件數量1
端子數量3
最高工作溫度125°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
極性/信道類型NPN
最大功率耗散（Abs）0.15 W
認證狀態不合格
子類別其他晶體管
表面貼裝是
端子面層TIN LEAD
端子形式鷗翼
端子位置DUAL
晶體管應用AMPLIFIER
晶體管元件材料SILICON
標稱過渡頻率（fT）100 MHz
VCEsat-最大0.3 V