功能說明：CY14B101LA-ZS45XIT

賽普拉斯CY14B101LA / CY14B101NA是快速靜態RAM
（SRAM），每個存儲單元中都有一個非易失性元件。的
存儲器組織為128 K字節，每個8位或64 K字
每個16位。嵌入式非易失性元件結合了
QuantumTrap技術，生產世界上最可靠的
非易失性存儲器。 SRAM提供無限的讀寫
周期，而獨立的非易失性數據駐留在高度
可靠的QuantumTrap細胞。數據從SRAM傳輸到
發生非易失性元素（存儲操作）
掉電時自動。上電后，數據恢復到
非易失性存儲器中的SRAM（RECALL操作）。
存儲和調用操作也都可用
在軟件控制下

特征：CY14B101LA-ZS45XIT
■20 ns，25 ns和45 ns的訪問時間
■內部組織為128 K×8（CY14B101LA）或64 K×16
（CY14B101NA）
■只需很少的電源，即可在掉電時自動進行存儲
電容器
■存儲到QuantumTrap發起的非易失性元素
軟件，設備引腳或掉電時的自動存儲
■通過軟件或加電啟動到SRAM的RECALL
■無限的讀，寫和回讀周期
■到QuantumTrap的一百萬個存儲周期
■20年數據保留
■單3 V + 20％至–10％操作
■工業溫度
■套餐
❐32針小型集成電路（SOIC）
❐II型44- / 54引腳薄型薄型封裝（TSOP）
❐48引腳熱縮小外形封裝（SSOP）
❐48球微距球柵陣列（FBGA）
■無鉛和有害物質限制（RoHS）
符合

CY14B101LA-ZS45XIT

制造商: Cypress Semiconductor
產品種類: NVRAM
RoHS: 詳細信息
系列: CY14B101LA
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標: Cypress Semiconductor
濕度敏感性: Yes
產品類型: NVRAM
工廠包裝數量: 1000
子類別: Memory & Data Storage