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CSD16406Q3

發布時間:2020/12/9 9:32:00 訪問次數:105 發布企業:深圳市科雨電子有限公司



製造商: Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: VSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 25 V
Id - C連續漏極電流: 60 A
Rds On - 漏-源電阻: 5.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 12 V, + 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.4 V
Qg - 閘極充電: 5.8 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 46 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1 mm
長度: 3.3 mm
系列: CSD16406Q3
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
寬度: 3.3 mm
品牌: Texas Instruments
下降時間: 4.8 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12.9 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 8.5 ns
標準開啟延遲時間: 7.3 ns
每件重量: 43.700 mg



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