分類路徑半導體>存儲器>存儲器芯片>閃存
詳細參數：MT29F8G08ABABAWP-IT:B
參數名稱參數值
是否無鉛不含鉛不含鉛
是否Rohs認證符合符合
生命周期已過時
IHS制造商MICRON TECHNOLOGY INC
零件包裝代碼TSOP1
包裝說明TSOP1，TSSOP48，.8,20
針數48
達到合規性
ECCN代碼3A991.B.1.A
HTS代碼8542.32.00.51
風險等級8.32
命令用戶界面YES
數據數據
數據保留時間-預設10
耐用100000寫/擦除周期
JESD-30代碼R-PDSO-G48
JESD-609代碼e3
長度18.4毫米
內存密度8589934592位
內存集成電路類型FLASH
內存寬度8
功能數量1
部門數/規模2K
端子數量48
字數1073741824字
字數代碼1000000000
工作模式
最高工作溫度85°C
最低工作溫度-40°C
組織1GX8
輸出特性3-STATE
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼TSOP1
封裝等效代碼TSSOP48，.8,20
封裝形狀矩形
封裝形式小外形，薄型輪廓，縮孔
頁面大小4K字
并行/串行PARALLEL
初期回流溫度（醋酸）260
做好/忙碌是
座面最大高度1.2毫米
部門規模512K
最大休眠電流0.00005 A
最大壓擺率0.05 mA
最大電源電壓（Vsup）3.6 V
最小電源電壓（Vsup）2.7 V
標稱供電電壓（Vsup）3.3 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級
端子面層Matte Tin（Sn）
端子形式鷗翼
端子節距0.5 mm
端子位置DUAL
處于初始回流溫度下的最極端30
切換位
類型SLC NAND TYPE
寬度12毫米
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