DDR3（1.5V）SDRAM數據表規格何時
在1.5V兼容模式下運行。
•VDD = VDDQ = + 1.35V（1.283V至1.45V）
•向后兼容VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V
•差分雙向數據選通
•8n位預取架構
•差分時鐘輸入（CK，CK＃）
•8家內部銀行
•標稱和動態片上終止（ODT）
用于數據，選通和屏蔽信號
•可編程CAS（READ）延遲（CL）
•可編程CAS附加延遲（AL）
•可編程CAS（WRITE）延遲（CWL）
•固定的突發長度（BL）為8，突發斬波（BC）為4
（通過模式寄存器集[MRS]）
•即時選擇BC4或BL8（OTF）
•自刷新模式
•攝氏95度
–最高85°C的64ms，8192個周期的刷新
–> 85°C至95°C時32ms，8192個周期的刷新
•自刷新溫度（SRT）
•自動自我刷新（ASR）
•寫作練級
•多用途寄存器
•輸出驅動器校準
功能說明：MT41K128M8DA-107:J
DDR3 SDRAM使用雙倍數據速率架構來實現高速操作。
雙倍數據速率架構是一種8n預取架構，其接口設計為每個時鐘周期在I / O引腳傳輸兩個數據字。一次讀或寫
DDR3 SDRAM的操作實際上包括內部DRAM內核處的單個8n位寬，四個時鐘周期的數據傳輸和八個相應的I / O引腳上的n位寬，一個半時鐘周期的數據傳輸。
差分數據選通（DQS，DQS＃）與數據一起在外部傳輸，用于
用于DDR3 SDRAM輸入接收器的數據捕獲。 DQS與數據居中對齊
用于寫。讀取的數據由DDR3 SDRAM傳輸并邊緣對齊到
數據選通。
DDR3 SDRAM從差分時鐘（CK和CK＃）運行。穿越CK
變高和CK＃變低稱為CK的上升沿。控制，命令和地址信號記錄在CK的每個上升沿。輸入數據在WRITE前同步碼之后在DQS的第一個上升沿上注冊，輸出數據在READ前同步碼之后在DQS的第一個上升沿上引用。
對DDR3 SDRAM的讀寫訪問是面向突發的。訪問從所選位置開始，并在編程的位置繼續進行編程的數量的位置
順序。訪問從注冊ACTIVATE命令開始，然后進行注冊
然后是READ或WRITE命令。注冊的地址位與
ACTIVATE命令用于選擇要訪問的庫和行。與READ或WRITE命令一致注冊的地址位用于選擇
突發訪問的庫和起始列位置。
該設備使用讀和寫BL8和BC4。自動預充電功能可能是
使能提供在脈沖串結束時啟動的自定時行預充電
訪問。
與標準DDR SDRAM一樣，DDR3 SDRAM的流水線多庫架構
允許并發操作，從而通過隱藏行預充電和激活時間來提供高帶寬。
提供自刷新模式以及省電，掉電模式。
工業溫度（IT）設備要求外殼溫度不超過
–40°C或95°C。 JEDEC規范要求當TC超過時刷新率必須加倍
85°C;這也需要使用高溫自刷新選項。另外，
當TC <0°C或以下時，必須降低ODT電阻和輸入/輸出阻抗
> 95°C。
制造商: Micron Technology
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: FBGA-78
系列: MT41K
封裝: Tray
商標: Micron
濕度敏感性: Yes
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 1440
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 2.770 g
