產品描述：FDMS6681Z

FDMS6681Z：-30V P溝道PowerTrench®MOSFET
FDMS6681Z設計用于最大限度地降低負載開關應用中的損耗。先進的硅技術和封裝技術完美融合，提供了最低rDS（上）和ESD保護。

產品特性：FDMS6681Z
VGS = -10 V，ID = -21.1 A時，最大rDS（on）=3.2mΩ
VGS = -4.5 V，ID = -15.7 A時，最大rDS（on）=5.0mΩ
先進的封裝和硅技術完美融合，實現了低的RDS（on）和高效率
HBM靜電放電保護等級為8 kV，典型值（注3）
MSL1耐用封裝設計
符合RoHS標準

應用：FDMS6681Z
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商:FDMS6681Z
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
Power-56-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
21.1 A
Rds On-漏源導通電阻:
3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.5 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
6 mm
系列:
FDMS6681Z
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
5 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
下降時間:
197 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
38 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
260 ns
典型接通延遲時間:
15 ns
單位重量:
68.100 mg