產品描述：H5TC4G63CFR-PBA
H5TC4G83CFR-xxA（I，L，J），H5TC4G63CFR-PBA（I，L，J）是4Gb低功耗雙倍數據速率III（DDR3L）同步DRAM，非常適合需要較大的主存儲器應用存儲密度，高帶寬和低功耗運行在1.35V。 SK海力士DDR3L SDRAM提供向后兼容基于1.5V DDR3的環境，無需任何更改。 SK海力士4Gb DDR3LSDRAM提供參考時鐘上升沿和下降沿的完全同步操作。而所有地址和控制輸入都鎖存在時鐘的上升沿（時鐘的下降沿），數據，數據選通和寫數據屏蔽輸入在其上升沿和下降沿都被采樣。數據路徑內部流水線和8位預取，以實現非常高的帶寬。設備功能和訂購信息

產品特征：H5TC4G63CFR-PBA
*本產品符合RoHS指令。
•VDD = VDDQ = 1.35V + 0.100 / - 0.067V
•全差分時鐘輸入（CK，CK）操作
•差分數據選通（DQS，DQS）
•片上DLL對齊DQ，DQS和DQS與CK的轉換
過渡
•DM掩碼在上升和下降時寫入數據
數據選通的邊緣
•除數據外的所有地址和控制輸入，
數據選通和數據掩碼鎖存在
上升的時鐘邊緣
•可編程CAS延遲5,6,7,8,9,10,11和13
支持的
•可編程附加延遲0，CL-1和CL-2
支持的
•可編程CAS寫延遲（CWL）= 5,6,7,8
•可編程突發長度4/8，兩個半字節
順序和交錯模式
•BL即時切換
•8banks
•平均刷新周期（0 oC~95 oC的Tcase）
- 0oC~85 oC時為7.8μs
- 在85oC~95 oC時為3.9μs
商用溫度（0oC~95 oC）
工業溫度（-40oC~95 oC）
•JEDEC標準78球FBGA（x8），96球FBGA（x16）
•EMRS選擇的駕駛員實力
•支持動態模具端接
•支持異步RESET引腳
•支持ZQ校準
•支持TDQS（終端數據選通）（僅限x8）
•支持寫入級別化
•8位預取

產品規格：H5TC4G63CFR-PBA
生命周期
量產
歐盟RoHS
是
歐盟RoHS版本
2011/65 / EU
零件編號代碼
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描述
DRAM芯片DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96引腳FBGA
分類
存儲器>存儲器芯片> DRAM芯片
產品面世日期
2013-06-27 00:00:00
ECCN
EAR99
供應商籠子代碼
9162F
HTSUSA
8542320036
密度
的4Gbit
類型
DDR3L SDRAM
組織
256Mx16
數據總線寬度
16位
最大時鐘頻率
1600MHz的
內部銀行數量
8
每個銀行的字數
32M
比特密度
4294967296bit
地址總線寬度
19bit
最大工作電流
125毫安
典型工作電源電壓
1.35V
最大工作電源電壓
1.45V
最低工作電源電壓
1.283V
最低工作溫度
0℃下
最高工作溫度
85℃
基本包裝類型
球柵陣列
包裹姓氏
BGA
供應商包裝
FBGA
包裝說明
細間距球柵陣列
鉛形狀
球
針數
96
PCB
96
包裝長度（mm）
13
包裝寬度（mm）
7.5
包裝高度（mm）
0.76
坐式平面高度（mm）
1.1
針距（mm）
0.8
包裝材料
塑料
安裝
表面貼裝
封裝外形
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