x4的67,108,864位存儲區中的每一個都組織為8192行乘2048列乘4位。 x8的67,108,864位存儲區中的每一個都被組織為8192行x 1024列
8位。 x16的67,108,864位存儲區中的每一個都被組織為8192行乘512列
減少16位
對SDRAM的讀寫訪問是面向突發的。訪問從選定的位置開始
位置，并按編程順序繼續編程的位置數。訪問從激活命令的注冊開始，然后是READ或WRITE命令。注冊的地址位與
ACTIVE命令用于選擇要訪問的庫和行（BA [1：0]選擇
銀行; A [12：0]選擇行）。注冊的地址位與READ或
WRITE命令用于選擇突發訪問的起始列位置。
SDRAM提供了1，2，4，或8的可編程讀或寫突發長度（BL）
位置或整頁，并帶有突發終止選項。自動預充電功能
可以啟用以提供自定時行預充電，該預充電在
突發序列。
256Mb SDRAM使用內部流水線架構來實現高速操作。該架構與預取架構的2n規則兼容，但它
還允許在每個時鐘周期更改列地址，以實現高速，完全隨機的訪問。在訪問另一家銀行時為其中一家銀行預付款
三個存儲區將隱藏PRECHARGE周期，并提供無縫，高速，隨機存取操作。
256Mb SDRAM設計為在3.3V存儲器系統中運行。自動刷新
提供省電模式和省電掉電模式。所有輸入和輸出均兼容LVTTL。
SDRAM在DRAM的操作性能方面提供了實質性的進步，包括
具有自動列地址的高數據速率同步突發數據的能力
生成，在內部存儲庫之間交錯以隱藏預充電時間的能力，以及
在突發期間在每個時鐘周期隨機更改列地址的能力
訪問。
汽車溫度（AT）選件符合以下規格：
•16ms刷新率
•不支持自刷新
•環境溫度和外殼溫度不能低于–40°C或高于+ 105°C
特征：MT48LC16M16A2P-7E IT:G
•符合PC100和PC133
•完全同步；所有信號均為正
系統時鐘的邊緣
•內部流水線操作；列地址可以
每個時鐘周期更改一次
•內部銀行用于隱藏行訪問/預付費
•可編程的突發長度：1、2、4、8或整頁
•自動預充電，包括并發自動預充電
和自動刷新模式
•自刷新模式（在AT設備上不可用）
•自動刷新
– 64毫秒，8192周期刷新（商業和
產業）
– 16毫秒，8192周期刷新（汽車）
•LVTTL兼容的輸入和輸出
•3.3V±0.3V單電源
制造商: Micron Technology
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型: SDRAM
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-54
數據總線寬度: 16 bit
組織: 16 M x 16
存儲容量: 256 Mbit
最大時鐘頻率: 133 MHz
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 3 V
電源電流—最大值: 135 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: MT48LC
封裝: Tray
商標: Micron
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 1080
子類別: Memory & Data Storage
