描述：MT40A1G8SA-062E:E

DDR4 SDRAM是一種高速動態隨機存取存儲器，內部配置為x16配置的8個存儲區DRAM，以及x4和x8配置的16個存儲區DRAM。 DDR4 SDRAM使用8n預取架構來實現高速操作。 8n預取架構與接口結合在一起
設計用于在每個時鐘周期在I / O引腳傳輸兩個數據字。
DDR4 SDRAM的單個READ或WRITE操作由單個8n位組成內部DRAM內核和兩個相應的n位進行寬四時鐘數據傳輸在I / O引腳上進行半時鐘周期的寬數據傳輸。

工業溫度：MT40A1G8SA-062E:E
工業溫度（IT）設備選件要求外殼溫度不超過–40°C或超過95°C。 JEDEC規范要求刷新率加倍
當TC超過85℃時；這也需要使用高溫自刷新選項。
此外，ODT電阻和輸入/輸出阻抗在以下情況下必須降低
當TC在–40°C和

0℃。

汽車溫度：MT40A1G8SA-062E:E
汽車溫度（AT）設備選件要求外殼溫度不超過
低于–40°C或高于105°C。規格要求刷新率達到2倍
當TC超過85℃時； TC超過95°C時為4倍。此外，ODT電阻和
當工作溫度Tc <0°C時，必須降低輸入/輸出阻抗。


特征：MT40A1G8SA-062E:E
•VDD = VDDQ = 1.2V±60mV
•VPP = 2.5V，–125mV，+ 250mV
•片上內部可調VREFDQ生成
•1.2V偽漏極開路I / O
•在TC溫度范圍內的刷新時間為8192個周期：
– -40°C至85°C時為64ms
–> 85°C至95°C時為32ms
–> 95°C至105°C時16ms
•16個內部銀行（x4，x8）：4組，每組4個銀行
•8個內部銀行（x16）：2組，每組4個銀行
•8n位預取架構
•可編程數據選通脈沖前導
•數據選通前導訓練
•命令/地址延遲（CAL）
•多用途寄存器的讀取和寫入功能
•寫作練級
•自刷新模式
•低功耗自動自刷新（LPASR）
•溫控刷新（TCR）
•細粒度刷新
•自刷新中止
•最大程度的節能
•輸出驅動器校準
•標稱，暫存和動態片上終止
（ODT）
•數據總線的數據總線反轉（DBI）
•命令/地址（CA）奇偶校驗
•數據總線寫循環冗余校驗（CRC）
•每個DRAM的尋址能力
•連接測試
•符合JEDEC JESD-79-4
•sPPR和hPPR功能

MT40A1G8SA-062E:E

制造商: Micron Technology
產品種類: 動態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
類型: SDRAM - DDR4
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: FBGA-78
數據總線寬度: 8 bit
組織: 1 G x 8
存儲容量: 8 Gbit
最大時鐘頻率: 1600 MHz
電源電壓-最大: 1.26 V
電源電壓-最小: 1.14 V
電源電流—最大值: 86 mA
最小工作溫度: 0 C
最大工作溫度: + 95 C
系列: MT40A
封裝: Tray
商標: Micron
濕度敏感性: Yes
產品類型: DRAM
工廠包裝數量: 1260
子類別: Memory & Data Storage

以下物料均有現貨庫存：MT40A1G8SA-062E:E
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