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EP3SL150F780I3N

發布時間:2020/12/12 11:52:00 訪問次數:173 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司




描述:EP3SL150F780I3N

Stratix®III系列提供了最先進的架構之一,
市場上的高性能,低功耗FPGA。
Stratix III FPGA通過Altera的創新降低了功耗
可編程電源技術,可以打開電源
在需要的地方降低性能,并降低不在其中的模塊的功耗
采用。可選的內核電壓和最新的硅工藝優化也
用于提供業界最低功耗的高性能FPGA。
Stratix III專為易于使用和快速系統集成而設計
FPGA系列提供兩種經過優化的變體,可以滿足不同的應用需求:
■Stratix III L系列為以下產品提供了平衡的邏輯,存儲器和乘法器比率:
主流應用。
■Stratix III E系列具有豐富的存儲器和乘法器,以數據為中心
應用程序。
具有用于垂直遷移的通用存儲區結構的模塊化I / O存儲區
高速I / O的效率和靈活性。封裝和模具增強功能
動態片上匹配,輸出延遲和電流強度控制可提供
一流的信號完整性。
Stratix III系列基于1.1V,65nm全層銅SRAM工藝,是一種
定制ASIC和可編程處理器的可編程替代品
高性能邏輯,數字信號處理(DSP)和嵌入式設計。
Stratix III器件通過易失性包括可選的配置位流安全性
或非易失性256位高級加密標準(AES)加密。哪里
需要極高的可靠性,Stratix III器件包括自動錯誤檢測
通過配置隨機訪問中的軟錯誤檢測數據損壞的電路

內存(CRAM)和用戶存儲單元。


功能摘要:EP3SL150F780I3N
Stratix III器件具有以下功能:
■48,000至338,000個等效邏輯元素(LE)(請參閱表1-1)
■2,430至20,497 Kbit的增強型TriMatrix存儲器,由三個RAM組成
實現真正的雙端口內存和FIFO緩沖區的塊大小
■高速DSP模塊提供9×9、12×12、18×18,
和36×36乘法器(最高550 MHz),乘法累加功能和
有限脈沖響應(FIR)濾波器
■I / O:GND:PWR比率為8:1:1,并通過芯片上和封裝上的去耦實現
強大的信號完整性
■可編程電源技術,可最大程度地減少功耗
設備性能:EP3SL150F780I3N
■可選的核心電壓,在低壓設備中可用(L訂貨代碼后綴),
支持選擇最低功耗或最高性能的操作
■每個設備最多16個全局時鐘,88個區域時鐘和116個外圍時鐘
■每個設備最多支持12個鎖相環(PLL),支持PLL重新配置,
時鐘切換,可編程帶寬,時鐘合成和動態相位
轉移
■所有I / O bank均具有專用DQS邏輯的內存接口支持
■支持高速外部存儲器接口,包括DDR,DDR2,
多達24個模塊化的DDR3 SDRAM,RLDRAM II,QDR II和QDR II + SRAM
I / O銀行
■多達1,104個用戶I / O引腳布置在24個模塊化I / O bank中,支持廣泛的
行業I / O標準范圍
■動態片上匹配(OCT),所有I / O均具有自動校準支持
銀行
■帶有串行器/解串器(SERDES)的高速差分I / O支持和
動態相位對準(DPA)電路,可實現1.6 Gbps的性能
■支持高速網絡和通信總線標準,包括
SPI-4.2,SFI-4,SGMII,Utopia IV,10 Gb以太網XSBI,快速I / O和NPSI
■唯一支持256位AES的高密度,高性能FPGA
易失性和非易失性安全密鑰以保護設計
■強大的片上熱插拔和電源排序支持
■集成的循環冗余校驗(CRC),用于配置內存錯誤
具有嚴重錯誤確定的檢測功能,可為高可用性系統提供支持
■內置的糾錯編碼(ECC)電路,用于檢測和糾正中的數據錯誤
M144K TriMatrix存儲模塊
■Nios®II嵌入式處理器支持
■支持Alt的多個知識產權宏功能


EP3SL150F780I3N

制造商: Intel
產品種類: FPGA - 現場可編程門陣列
發貨限制: Mouser 目前在您所在地區不銷售該產品。
RoHS: 詳細信息
邏輯元件數量: 142500 LE
自適應邏輯模塊 - ALM: 57000 ALM
嵌入式內存: 6390 kbit
封裝: Tray
系列: Stratix III
商標: Intel / Altera
濕度敏感性: Yes
邏輯數組塊數量——LAB: 5700 LAB
產品類型: FPGA - Field Programmable Gate Array
工廠包裝數量: 36
子類別: Programmable Logic ICs
商標名: Stratix
零件號別名: 971859

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