91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

位置:51電子網 » 企業新聞

SISH434DN-T1-GE3

發布時間:2020/12/16 17:40:00 訪問次數:121 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

SISH434DN-T1-GE3



製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-1212-8S
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 35 A
Rds On - 漏-源電阻: 7.6 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.2 V
Qg - 閘極充電: 40 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 52 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SIS
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Vishay Semiconductors
互導 - 最小值: 60 S
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 25 ns
標準開啟延遲時間: 20 ns

上一篇:AX104R-150

下一篇:FDMD8540L

相關新聞

相關型號



 復制成功!
绥滨县| 定远县| 常熟市| 巴东县| 尉犁县| 正宁县| 彩票| 监利县| 大庆市| 平乡县| 斗六市| 永川市| 龙海市| 德江县| 辽阳县| 北碚区| 阳高县| 吴川市| 永平县| 东至县| 孟州市| 琼海市| 特克斯县| 临汾市| 杨浦区| 青阳县| 池州市| 泰顺县| 长垣县| 扶沟县| 金坛市| 和林格尔县| 靖州| 山阳县| 麟游县| 江孜县| 六安市| 额敏县| 安远县| 工布江达县| 云和县|