晶體管9 A，900 V，1.3 ohm，N通道，Si，電源，MOSFET，無鉛，2-16C1B，SC-65，3 PIN，FET通用電源
特點：2SK3878(STA1.E.S)
•低漏源導通電阻：RDS（ON）= 1.0Ω（典型值）
•高前向傳輸導納：⎪Yfs⎪= 7.0 S（典型值）
•低泄漏電流：IDSS = 100μA（最大值）（VDS = 720 V）
•增強模型：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3PN-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V
Id-連續漏極電流: 9 A
Rds On-漏源導通電阻: 1 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20 mm
長度: 15.5 mm
系列: 2SK3878
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.5 mm
商標: Toshiba
正向跨導 - 最小值: 7 S
下降時間: 20 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
單位重量: 7 g
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