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TC58NVG1S3HBAI6

發布時間:2020/12/16 21:30:00 訪問次數:210 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司




描述:TC58NVG1S3HBAI6

東芝的SLC NAND高級閃存
產品提供最先進的耐用性和數據
保留敏感或經常使用的系統數據。
適用于長期使用的產品或系統
主機與主機之間的數據吞吐量極高
在內存方面,東芝的SLC是合適的解決方案。
東芝的新BENAND™減輕了負擔
來自主機處理器的糾錯碼(ECC)
通過將ECC直接嵌入硬件
保持相同的規格,可靠性和
作為原始SLC NAND的性能


應用領域:TC58NVG1S3HBAI6
•工業
• 消費類電子產品
•多媒體
•智能計量和智能照明


特點:TC58NVG1S3HBAI6
•SLC NAND 24nm
•1Gb – 128Gb
•擴展溫度范圍
•TSOP和BGA封裝
•BENAND 24nm
內置ECC SLC NAND
•1Gb – 8Gb
•片上硬件ECC
•相同的可靠性和性能
作為原始SLC
•相同的硬件接口和
打包為原始SLC
•廣泛的陣容以滿足客戶
對不同密度的需求
•24nm技術用于成本優化
•數據保留時間長,極限寫入/
擦除性能
•小包裝可減少
板面空間
•不需要ECC操作
主機端(BENAND)
•采用東芝尖端技術生產
科技閃光燈廠
•持久的合適解決方案
大量或經常存儲
變更資料
•由于最新,降低了BOM成本
24nm生產技術
•支持較小的電路板尺寸(例如
對于移動設備)
•使用東芝BENAND,它是
可以利用最新的24nm
SLC NAND閃存技術甚至
如果現有平臺無法
支持更高位的ECC。沒有
硬件需要更改。



詳細參數:TC58NVG1S3HBAI6
參數名稱 參數值
生命周期 Transferred
IHS 制造商 TOSHIBA CORP
零件包裝代碼 BGA
包裝說明 VFBGA,
針數 67
Reach Compliance Code unknown
風險等級 4.35
JESD-30 代碼 R-PBGA-B67
長度 8 mm
內存密度 2147483648 bit
內存集成電路類型 FLASH
內存寬度 8
功能數量 1
端子數量 67
字數 268435456 words
字數代碼 256000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -40 °C
組織 256MX8
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 VFBGA
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL
編程電壓 3.3 V
座面最大高度 1 mm
最大供電電壓 (Vsup) 3.6 V
最小供電電壓 (Vsup) 2.7 V
標稱供電電壓 (Vsup) 3.3 V
表面貼裝 YES
技術 CMOS
溫度等級 INDUSTRIAL
端子形式 BALL
端子節距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
類型 SLC NAND TYPE
寬度 6.5 mm

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