產品描述：STF6N95K5

這是一款非常高電壓的N溝道功率MOSFET采用MDmesh™K5技術設計基于創新的專有垂直結構體。 結果是阻力大大降低和超低的柵極電荷需要卓越功率密度的應用高效率。

產品特征：STF6N95K5
•業界最低的RDS（on）*區域
•行業最佳品質因數（FoM）
•超低柵極電荷
•100％雪崩測試
•齊納保護

應用：STF6N95K5
•切換應用程序

制造商:STF6N95K5
STMicroelectronics
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
950 V
Id-連續漏極電流:
9 A
Rds On-漏源導通電阻:
1.25 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
Qg-柵極電荷:
13 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
25 W
配置:
Single
商標名:
MDmesh
封裝:
Tube
系列:
STF6N95K5
晶體管類型:
1 N-Channel
商標:
STMicroelectronics
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
1000
子類別:
MOSFETs
單位重量:
330 mg