產品描述：NTF2955T1G

功率MOSFET
-60 V，-2.6 A，單P溝道SOT-223

產品特征：NTF2955T1G
•低RDS（on）設計
•在雪崩和換向模式下能夠承受高能量
•符合AEC-Q101標準 - NVF2955
•這些器件是無鉛的，符合RoHS標準

應用：NTF2955T1G
• 電源
•PWM電機控制
•轉換器
• 能源管理

制造商:NTF2955T1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-223-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
2.6 A
Rds On-漏源導通電阻:
185 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Qg-柵極電荷:
14.3 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
2.3 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.57 mm
長度:
6.5 mm
系列:
NTF2955
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
3.5 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
1.77 S
下降時間:
38 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
7.6 ns
工廠包裝數量:
1000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
65 ns
典型接通延遲時間:
11 ns
單位重量:
250 mg