產品描述：NTGS3443T1G

功率MOSFET
4.4安培，20伏
P溝道TSOP-6

產品特征：NTGS3443T1G
•超低RDS（開）
•更高的效率延長電池壽命
•微型TSOP-6表面貼裝封裝
•這些器件是無鉛的，符合RoHS標準
•汽車和其他應用所需的NVGS前綴
獨特的站點和控制變更要求;AEC-Q101
合格且有PPAP能力

應用：NTGS3443T1G
•便攜式和電池供電產品的電源管理，
即：蜂窩電話和無繩電話，以及PCMCIA卡

制造商:NTGS3443T1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TSOP-6
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
2 A
Rds On-漏源導通電阻:
65 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
12 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.94 mm
長度:
3 mm
系列:
NTGS3443
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.5 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
6.8 S
下降時間:
31 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
18 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
30 ns
典型接通延遲時間:
10 ns
單位重量:
20 mg