描述：AOD508

30V N通道AlphaMOS
•最新的Trench功率MOSFET技術30V
•RDS（on）在10VGS時非常低
•低柵極電荷
•高電流能力
•符合RoHS和無鹵素標準


應用：AOD508
•計算中的DC / DC轉換器
•電信和工業中的隔離式DC / DC轉換器


產品概要：AOD508
VDS
ID（在VGS = 10V時）70A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<3mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<4.5mΩ
經過100％UIS測試
100％汞
經過測試


詳細參數：AOD508
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明R-PSSO-G2
達到不符合的合規代碼
ECCN代碼EAR99
風險等級2.35
Samacsys說明Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin（2 + Tab）DPAK T / R
雪崩能效等級（Eas）68 mJ
外殼連接排水
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大電流（ID）70 A
最大漏源導通電阻0.003Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
JEDEC-95碼TO-252
JESD-30代碼R-PSSO-G2
JESD-609代碼e3
元件數量1
端子數量2
工作模式
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型N-CHANNEL
最大脈沖交流電流（IDM）159 A
表面貼裝是
端子面層Matte Tin（Sn）
端子形式鷗翼
端子位置SINGLE
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON