描述：AON6354

30V N溝道MOSFET
•30V溝道功率MOSFET技術
•低RDS（ON）
•低柵極電荷
•高電流能力
•符合RoHS和無鹵素標準


應用：AON6354
•計算，服務器和POL中的DC / DC轉換器
•參見注釋一


產品概要：AON6354
VDS
ID（在VGS = 10V時）83A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<3.3mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<5.2mΩ
經過100％UIS測試
已通過100％汞測試


詳細參數：AON6354
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明R-PDSO-F5
達到合規性
風險等級5.77
雪崩能效等級（Eas）20 mJ
外殼連接排水
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大短路電流（ID）83 A
最大漏源導通電阻0.0052Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-30代碼R-PDSO-F5
元件數量1
端子數量5
工作模式
最低工作溫度-55°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型N-CHANNEL
最大脈沖交流電流（IDM）205 A
表面貼裝是
端子形式FLAT
端子位置DUAL
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON