描述：AON7403

30V P溝道MOSFET
AON7403使用先進的溝槽技術
提供出色的RDS（ON）和超低的低柵極電荷
柵極額定電壓為25V。該設備適合用作
負載開關或在PWM應用中。


產品概要：AON7403
VDS
ID（在VGS = -10V時）-29A
RDS（ON）（在VGS = -10V時）<18mW
RDS（ON）（在VGS = -5V時）<36mW


詳細參數：AON7403
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期過時的
IHS制造商阿爾法與歐米茄半導體有限公司
零件包裝代碼
包裝說明小輪廓，S-PDSO-F5
針數8
達到合規規范符合
ECCN代碼EAR99
風險等級7.98
Samacsys說明場效應管P-CH 30V 11A 8DFN
外殼連接排水
配置單頭內置二極管
最小漏源擊穿電壓30伏
最大飽和電流（Abs）（ID）29 A
最大最大值電流（ID）29 A
最大漏源導通電阻0.018歐姆
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-30代碼S-PDSO-F5
元件數量1個
端子數量5
工作模式增強模式
最高工作溫度150°攝氏度
封裝主體材料塑料/環氧樹脂
封裝形狀廣場
封裝形式小輪廓
正極/信道類型P通道
最大功率耗散（Abs）25瓦
最大脈沖脈沖電流（IDM）80安
認證狀態不合格
子類別其他晶體管
表面貼裝是
端子形式平面
端子位置雙
晶體管應用交換
晶體管元件材料硅