描述：K4B4G0846E-BYMA

4Gb E-die DDR3L SDRAM
具有無鉛和無鹵素的78FBGA
（符合RoHS）
DRAM芯片DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V / 1.5V 78引腳FBGA


特點：K4B4G0846E-BYMA
•JEDEC標準1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）
•VDDQ = 1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）
•400 MHz fCK表示800Mb / sec / pin，533MHz fCK表示1066Mb / sec / pin，
對于1333Mb / sec / pin，667MHz fCK，對于1600Mb / sec / pin，800MHz fCK，
933MHz fCK for 1866Mb / sec / pin
•8家銀行
•可編程CAS延遲（已發布CAS）：5,6,7,8,9,10,11,12,13
•可編程加性延遲：0，CL-2或CL-1時鐘
•可編程CAS寫入延遲（CWL）= 5（DDR3-800），6
（DDR3-1066），7（DDR3-1333），8（DDR3-1600）和9（DDR3-1866）
•8位預取
•突發長度：8、4，tCCD = 4，這不允許無縫讀取
或撰寫[使用A12或MRS即時下載]
•雙向差分數據選通
•內部（自我）校準：通過ZQ引腳進行內部自我校準
（RZQ：240歐姆±1％）
•使用ODT引腳進行管芯端接
•平均刷新時間為7.8us（低于TCASE85C，3.9us低于TCASE）
85C<TCASE <95C
•支持工業溫度（-4095C）
--40°C≤TCASE≤85°C時的tREFI 7.8us
-85°C <TCASE≤95°C時的tREFI 3.9us
•異步復位
•包裝：78球FBGA-x4 / x8
•所有無鉛產品均符合RoHS
•所有產品均不含鹵素
4Gb DDR3 SDRAM E-die被組織為128Mbit x 4 I / O x 8banks，
64Mbit x 8 I / O x 8banks設備該同步設備實現了高
最高可達1866Mb / sec / pin的雙數據速率傳輸速率（DDR3-
（1866）。
該芯片的設計符合以下DDR3 SDRAM關鍵功能，例如發布的CAS，可編程CWL，內部（自）校準，
使用ODT引腳和異步復位來終止芯片。
所有控制和地址輸入均與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入在差分時鐘的交叉點鎖存（CK上升和CK下降）。所有I / O均與
源同步方式的一對雙向選通脈沖（DQS和DQS）。地址總線用于傳送行，列和庫地址
RAS / CAS復用樣式中的信息。 DDR3設備運行
帶有一個1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）電源
和1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）VDDQ。
4Gb DDR3 E-die設備可用于78ball FBGA（x4 / x8）

詳細參數：K4B4G0846E-BYMA
參數名稱參數值
生命周期
IHS制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包裝說明
達到合規性
風險等級5.67
訪問模式MULTI BANK頁面突發
其他特性AUTO / SELF REFRESH; 還以1.5V標稱電源工作
JESD-30代碼R-PBGA-B78
長度11毫米
內存密度4294967296位
內存集成電路類型DDR DRAM
內存寬度8
功能數量1
運輸數量1
端子數量78
字數536870912單詞
字數代碼512000000
工作模式同步
最高工作溫度85°C
最低工作溫度
組織512MX8
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝代碼TFBGA
封裝形狀矩形
封裝形式GRID ARRAY，薄型輪廓，精細間距
座面最大高度1.2毫米
自我刷新是
最大電源電壓（Vsup）1.45 V
最小電源電壓（Vsup）1.283 V
標稱電源電壓（Vsup）1.35 V
表面貼裝是
技術CMOS
溫度等級OTHER
端子形式BALL
端子節距0.8 mm
端子位置BOTTOM
寬度7.5毫米