產品描述：DMN6075S-7
這款新一代MOSFET旨在最大限度地降低導通狀態電阻（RDS（ON））并保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
特點和好處：DMN6075S-7
NMOSFET
低導通電阻
低輸入電容
快速切換速度
完全無鉛且完全符合RoHS標準（注1和2）
鹵素和無銻。 “綠色”裝置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性標準
機械數據：DMN6075S-7
案例：SOT23
表殼材質：模壓塑料，“綠色”成型復合物;
UL可燃性分類等級94V-0
濕度敏感度：J-STD-020的1級
終端連接：請參見下圖
端子：表面處理 - Matte Tin通過銅引線框架退火。
可根據MIL-STD-202，方法208進行焊接
重量：0.008克（近似值）
應用：DMN6075S-7
DC-DC轉換器
電源管理功能
背光
制造商:DMN6075S-7
Diodes Incorporated
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
2.5 A
Rds On-漏源導通電阻:
85 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Qg-柵極電荷:
12.3 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.15 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1 mm
長度:
3 mm
產品:
Enhancement Mode MOSFET
系列:
DMN60
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
Enhancement Mode MOSFET
寬度:
1.4 mm
商標:
Diodes Incorporated
下降時間:
11 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
4.1 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
35 ns
典型接通延遲時間:
3.5 ns
單位重量:
8 mg
