描述：FDN352AP

FDN352AP：-30V單P溝道Trench®MOSFET
此P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench工藝生產，這一先進工藝是專為最大限度地降低導通阻抗并保持低柵極電荷以獲得卓越開關性能而定制的。這些器件非常適合需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中實現低線內功率損耗的低電壓和電池供電應用。

特性：FDN352AP
-1.3A，-30V
RDS（ON）=180mΩ@ VGS = -10V
-1.1A，-30V
RDS（ON）=300mΩ@ VGS = -4.5V
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）
高功率版本的工業標準SOT-23封裝。相同的SOT-23引腳，可將功率處理能力提高30％。
應用
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。
筆記本電腦電源管理

制造商:FDN352AP
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
1.3 A
Rds On-漏源導通電阻:
180 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.12 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDN352AP
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.4 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
2 S
下降時間:
15 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
15 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
10 ns
典型接通延遲時間:
4 ns
零件號別名:
FDN352AP_NL
單位重量:
30 mg