製造商: ON Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-3PN-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 800 V
Id - C連續漏極電流: 10 A
Rds On - 漏-源電阻: 1.1 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3 V
Qg - 閘極充電: 58 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 240 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: QFET
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.1 mm
長度: 16.2 mm
系列: FQA10N80C_F109
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5 mm
品牌: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 80 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 130 ns
原廠包裝數量: 450
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 90 ns
標準開啟延遲時間: 50 ns
零件號別名: FQA10N80C_F109
每件重量: 6.401 g