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PE4259-63

發布時間:2020/12/24 19:29:00 訪問次數:461 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司




描述:PE4259-63

PE4259-63UltraCMOS®RF開關設計用于
涵蓋從10 MHz開始的廣泛應用
到3000 MHz該反射式開關集成
低電壓的板上CMOS控制邏輯
CMOS兼容的控制接口,并且可以
使用單引腳或互補引腳控制
控制輸入。使用標稱+3伏電源
電壓,典型輸入為1dB壓縮點
可以實現+33.5 dBm。
PE4259-63是在Peregrine的
UltraCMOS工藝,藍寶石上的硅絕緣子(SOI)技術的專利變體
襯底,提供GaAs的性能與
經濟和傳統CMOS的集成。


特征:PE4259-63
•單針或互補CMOS
邏輯控制輸入
•低插入損耗:
1000 MHz時為0.35 dB
0.5 dB @ 2000 MHz
30 MHz @ 1000 MHz時的隔離度
•2 kV HBM的高ESD耐受性
典型輸入1 dB壓縮點
+33.5 dBm
1.8V最低電源電壓
超小型SC-70封裝



詳細參數:PE4259-63
參數名稱參數值
是否無鉛不含鉛不含鉛
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商PSEMI CORP
包裝說明TSSOP6,.08
達到合規性
風險等級5.79
1dB壓縮點30 dBm
其他特性CMOS兼容
特性阻抗50Ω
構造要素
最大輸入功率(CW)34 dBm
最大插入損耗0.6 dB
最小隔離度19 dB
JESD-609代碼e4
安裝特點
功能數量1
端子數量6
準時1.5 μs
最大工作頻率3000 MHz
最小工作頻率10 MHz
最高工作溫度85°C
最低工作溫度-40°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝等效代碼TSSOP6,.08
全面終止反射
電源3 V
射頻/微波設備類型SPDT
子類別RF /微波開關
表面貼裝是
技術CMOS
端子面層鎳/鈀/金(Ni / Pd / Au)

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