描述：AONR21357

30V P溝道MOSFET
•最新的先進溝槽技術-30V
•低RDS（ON）
•高電流能力
•符合RoHS和無鹵素標準


應用：AONR21357
•筆記本電腦交流輸入負載開關
•電池保護充放電


產品概要：AONR21357
VDS
ID（在VGS = -10V時）-34A
RDS（ON）（在VGS = -10V時）<7.8mΩ
RDS（ON）（在VGS = -4.5V時）<12.3mΩ
經過100％UIS測試
已通過100％汞測試

詳細參數：AONR21357
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明S-PDSO-F5
達到合規性
風險等級5.78
Samacsys說明Trans MOSFET P-CH 30V 21A 8-Pin DFN-A EP T / R
雪崩能效等級（Eas）76 mJ
外殼連接排水
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大短路電流（ID）34 A
最大漏源導通電阻0.0078Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-30代碼S-PDSO-F5
元件數量1
端子數量5
工作模式
最低工作溫度-55°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀SQUARE
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型P-CHANNEL
最大脈沖交流電流（IDM）136 A
表面貼裝是
端子形式FLAT
端子位置DUAL
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON