一般說明：MT48LC16M16A2P-6A:G
256Mb SDRAM是一個高速CMOS，動態隨機存取存儲器268,435,456位。它在內部配置為具有同步的四存儲體DRAM接口（所有信號都記錄在時鐘信號的上升沿，CLK）。x4的67,108,864位存儲體中的每一個被組織為8192行乘2048列乘4位。每個x8的67,108,864位存儲區組織為8192行×1024列8位。 x16的67,108,864位存儲體中的每一個被組織為8192行×512列按16位。
對SDRAM的讀寫訪問是面向突發的;訪問從選定的開始定位并繼續編程序列中的編程數量的位置。訪問從注冊ACTIVE命令開始，然后遵循通過READ或WRITE命令。注冊的地址位與ACTIVE命令用于選擇要訪問的存儲體和行（BA [1：0]選擇銀行; A [12：0]選擇行）。注冊的地址位與READ或。一致WRITE命令用于選擇突發訪問的起始列位置。SDRAM提供1,2,4或8的可編程讀或寫突發長度（BL）具有突發終止選項的位置或整頁。自動預充電功能可以啟用以提供在時間結束時啟動的自定時行預充電突發序列。256Mb SDRAM采用內部流水線架構，可實現高速運行。該體系結構與預取體系結構的2n規則兼容，但它還允許在每個時鐘周期更改列地址以實現高速，完全隨機訪問。訪問一個銀行，同時訪問另一個銀行三家銀行將隱藏PRECHARGE周期并提供無縫，高速，隨機訪問操作。256Mb SDRAM設計用于3.3V內存系統。自動刷新提供模式，以及省電，省電模式。所有輸入和輸出
與LVTTL兼容。SDRAM在DRAM運行性能方面取得了重大進步，包括使用自動列地址以高數據速率同步突發數據的能力生成，內部庫之間交錯以隱藏預充電時間的能力，以及在突發期間在每個時鐘周期隨機改變列地址的能力訪問。

特征：MT48LC16M16A2P-6A:G
•符合PC100-和PC133標準
•完全同步;所有信號均以正數登記
系統時鐘的邊緣
•內部流水線操作;列地址可以
每個時鐘周期都要改變
•內部銀行用于隱藏行訪問/預充電
•可編程突發長度：1,2,4,8或整頁
•自動預充電，包括并發自動預充電
和自動刷新模式
•自刷新模式（AT設備不可用）
•自動刷新
- 64ms，8192周期刷新（商業和
產業）
- 16ms，8192周期刷新（汽車）
•兼容LVTTL的輸入和輸出
•單3.3V±0.3V電源


制造商:MT48LC16M16A2P-6A:G
Micron Technology
產品種類:
動態隨機存取存儲器
RoHS:
詳細信息
類型:
SDRAM
數據總線寬度:
16 bit
組織:
16 M x 16
封裝 / 箱體:
TSOP-54
存儲容量:
256 Mbit
最大時鐘頻率:
167 MHz
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電壓-最小:
3 V
電源電流—最大值:
135 mA
最小工作溫度:
0 C
最大工作溫度:
+ 70 C
系列:
MT48LC
封裝:
Tray
商標:
Micron
安裝風格:
SMD/SMT
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
DRAM
工廠包裝數量:
1080
子類別:
Memory & Data Storage
單位重量:
820 mg