描述：FDV304P

FDV304P：P溝道數字FET
此P溝道增強模式場效應應晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術生產。這種高密度工藝專為最大限度地降低低柵極驅動條件下的通態電阻而定制。該器件特別為電池 供電設計，例如筆記本電腦和手機。該器件即使在柵極驅動電壓低至2.5V時仍具有出色的通態電阻。

特性：FDV304P
-25V，-0.46A（連續值）， - 1.5A（峰值）RDS（ON）=1.1Ω@ VGS = -4.5 V，RDS（ON）=1.5Ω@ VGS = -2.7 V.
柵極驅動電平要求極低，從而可在3V電路中直接運行.VGS（th）<1.5V。
柵 - 源齊納二極管增強耐靜電放電（ESD）能力。> 6kV人體模型。
緊湊的工業標準SOT-23表面貼裝封裝。

應用：FDV304P
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商:FDV304P
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
25 V
Id-連續漏極電流:
460 mA
Rds On-漏源導通電阻:
1.1 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
350 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.2 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDV304P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.3 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
0.8 S
下降時間:
8 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
8 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
55 ns
典型接通延遲時間:
6 ns
零件號別名:
FDV304P_NL
單位重量:
8 mg