描述：FDD6637
FDD6637：P二極管，PowerTrench®MOSFET，35V，-55A，11.6mΩ此后P MOSFET就是使用PowerTrench®專有技術生產的，可提供低RDS（on）和優化的BVdss能力，為應用帶來卓越的性能優勢。
-55 A，-35 V
RDS（ON）= 11.6mΩ@ VGS = -10 V
RDS（ON）= 18mΩ@ VGS = -4.5 V
先進的技術可實現極低的RDSON
符合RoHS標準
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。
制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 35 V
Id-連續漏極電流: 55 A
Rds On-漏源導通電阻: 11.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 63 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
商標名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
系列: FDD6637
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 6.22 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 36 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 62 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
單位重量: 260 mg
