0429007.WRMLHF正品原裝進口現貨

封裝：SMD

批號：20+

品牌：LITTELFUSE/力特

制造商: Littelfuse
產品種類: 表面貼裝式保險絲
發貨限制： Mouser目前不銷售該產品。
RoHS: 詳細信息
系列: 429
產品: Surface Mount Fuse
保險絲類型: Fast Blow
電流額定值: 7 A
電壓額定值 AC: 24 VAC
電壓額定值 DC: 24 VDC
中斷額定值: 35 A at 24 VDC
保險絲大小/組: 1206 (3216 metric)
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 90 C
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
電阻: 9 mOhms
高度: 1.14 mm
長度: 3.18 mm
寬度: 1.52 mm
商標: Littelfuse
產品類型: SMD Fuses
工廠包裝數量: 3000
子類別: Fuses
單位重量: 1 g

終于！臺積電啟動2nm工藝研發，三星慘敗！

來源：華強電子網作者：梁浩斌時間：2019-09-24 17:40

臺積電三星英特爾制程晶圓

9月18日，據外媒報道，臺積電已經正式宣布啟動2nm工藝的研發，并將在位于中國臺灣新竹的南方科技園建立2nm工廠。按照臺積電的說法，2nm工藝預計需要研發4年時間，最快要到2024年才能夠進入批量生產。而在2024年之前，5nm和3nm工藝將會成為過渡產品，同時臺積電還表示，他們正在為5nm工藝量產做準備，預計將于2020年開始批量投產，有消息稱蘋果將成為臺積電5nm工藝的首批客戶。對于3nm，臺積電則表示將于2022年批量投產。

這樣一來，臺積電便成為了世界上第一家宣布啟動2nm工藝研發的公司。與此同時，另一廂三星，其基于EUV(極紫外光刻)技術的7nm LPP工藝才剛剛批量生產，前一陣還爆出了工藝良率差導致客戶的5G芯片全部報廢，盡管三星及時出來辟謠了，不過好景不長。隨后三星在8月發布的新旗艦Note10，其搭載使用了7nm工藝的Exynos 9825又被網友扒出能效比還不如自家上一代使用8nm工藝的Exynos 9820。

在臺積電和三星的較量中，從7nm開始，臺積電似乎就已經將最大的對手三星遠遠拋在身后了。盡管臺積電有著“摩爾定律的完美執行者”之稱，不過，4年后批量投產2nm工藝還是著實讓編者有些驚訝，畢竟摩爾定律的提出者英特爾，還在10nm工藝中苦苦掙扎，直到最近才有采用10nm工藝的產品上市。

其實早在制程工藝走到10nm時，有關半導體工藝已達物理極限的說法就開始在業內被廣泛提及。其中僅量子隧穿效應和寄生電容問題就難以解決，前者是當晶體管尺寸縮小到原子級別后，電子可能會隨意穿過壁壘導致漏電，從而使得芯片功耗增加;后者則是在線路過密過細的情況下，出現寄生電容干擾的問題，導致功耗增加。這種說法在7nm制程誕生時更是普遍，畢竟就連英特爾都在這上面栽了跟頭，英偉達CEO黃仁勛更是公開表示摩爾定律已失效。

那么臺積電真的有這樣的能力，能夠將摩爾定律“死守到底”嗎?事實上，單純從制程工藝的先進性來看，英特爾的10nm甚至還要比臺積電7nm要強。英特爾10nm制程晶體管密度達到了100.8MTr/mm2，而臺積電7nm制程晶體管密度僅為96.5MTr/mm2。顯然，臺積電與英特爾用來命名制程工藝的標準并不相同。

在9月18日開幕的科技創新論壇會議上，臺積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森表示摩爾定律還會繼續存在，隨著晶體管密度更好，成本效益也會更高，受益的不只是邏輯芯片，內存、閃存芯片也會從摩爾定律中受益。有趣的是，接著黃漢森還提到：“現在描述工藝水平的XXnm說法已經不科學了，因為它與晶體管柵極已經不是絕對相關了，制程節點已經變成了一種營銷游戲，與科技本身的特性沒什么關系了。”

由于現在的柵極寬度定義無法準確描述7nm、5nm這樣的半導體工藝核心，黃漢森建議采用新的指標來衡量半導體工藝的進展，未來工藝可以微縮到0.1nm級別，相當于氫原子大小，現在的制程定義不能再反應真正的科技水平了，氫原子級別的微縮才是創新，而且很多創新都是不可預見的。

雖然臺積電在制程工藝命名上耍了一點“小心思”，不過從市場表現來看，各大廠商以及消費者普遍都對臺積電代工的芯片表示滿意。但要想延續摩爾定律，保持住自己的市場優勢，臺積電除了死磕制程工藝外，還需要從新材料、封裝技術等方面入手。比如石墨烯等新型復合半導體材料，美國勞倫斯伯克利國家實驗室此前就成功用納米碳管制成了1nm晶體管;封裝技術方面，目前臺積電已經推出的CoWoS、bumping、InFO等后端3D封裝產品和前道3D封裝工藝SOIC和全新的多晶圓堆疊等多種封裝方式，也將會是未來芯片制造的新方向。