描述：NTR4502PT1G

功率MOSFET
−30 V，−1.95 A，單通道，P通道，SOT-23

特征：NTR4502PT1G
•領先的平面技術，可實現低柵極電荷/快速開關
•低RDS（ON），可降低傳導損耗
•SOT-23表面貼裝，占地面積小（3 x 3毫米）
•適用于汽車和其他要求獨特的NV前綴
現場和控制變更要求； 通過AEC-Q101認證并
具備PPAP
•這些設備無鉛且符合RoHS要求

應用：NTR4502PT1G
•直流到直流轉換
•用于便攜式和計算的負載/電源開關
•主板，筆記本電腦，便攜式攝像機，數碼相機等。
•電池充電電路

制造商:NTR4502PT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
1.95 A
Rds On-漏源導通電阻:
200 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Qg-柵極電荷:
6 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.25 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.94 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTR4502P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.3 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
3 S
下降時間:
17.5 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
12 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
19 ns
典型接通延遲時間:
5.2 ns
單位重量:
30 mg