描述：FDC6333C

FDC6333C：30V N和P串聯PowerTrench®MOSFET這些N和P MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench工藝生產，這一先進工藝是專門為降低地線狀態電阻并保持卓越開關性能而定制的 。這些器件經過專門設計，能在極小的空間內部實現出色的功率耗散，非常適合那些不宜采用更大更昂貴的SO-8和TSSOP-8封裝的應用。

特性：FDC6333C
Q1 2.5 A，30V
RDS（on）= 95mΩ@ VGS = 10 V
RDS（ON）= 150mΩ@ VGS = 4.5 V
Q2 –2.0 A，30V。
RDS（on）= 150mΩ@ VGS = -10 V
RDS（on）= 220mΩ@ VGS = -4.5 V
低柵極電荷
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）
SuperSOT –6封裝：小尺寸（比標準SO-8小72％）；薄型（1mm厚）。
應用
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用

制造商:FDC6333C
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-6
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
2.5 A, 2 A
Rds On-漏源導通電阻:
95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
16 V, 25 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
960 mW
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDC6333C
晶體管類型:
1 N-Channel, 1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.6 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
7 S, 3 S
下降時間:
6 ns, 13 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
6 ns, 13 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
19 ns, 11 ns
典型接通延遲時間:
4.5 ns, 4.5 ns
零件號別名:
FDC6333C_NL
單位重量:
30 mg