1.概述：PMV65XP
小型SOT23中的P通道增強模式場效應晶體管（FET）
（TO-236AB）使用Trench MOSFET的表面貼裝器件（SMD）塑料封裝技術

2.特點和優點：PMV65XP
•低閾值電壓
•低通態電阻
•Trench MOSFET技術

3.應用
•低功耗DC-DC轉換器
•負載切換
•電池管理
•電池供電的便攜式設備

制造商:PMV65XP
Nexperia
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
2.8 A
Rds On-漏源導通電阻:
74 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
470 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:
4.5 V
Qg-柵極電荷:
7.7 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
833 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1 mm
長度:
3 mm
產品:
MOSFET Small Signal
晶體管類型:
1 P-Channel Trench MOSFET
寬度:
1.4 mm
商標:
Nexperia
下降時間:
68 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
18 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
135 ns
典型接通延遲時間:
7 ns
零件號別名:
PMV65XP T/R
單位重量:
26 mg